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                  2013年最佳創新閃存技術類最佳會展獎被MICRON摘得

                  Micron Technology, Inc. (Nasdaq 代碼:MU)今日宣布可支持行業最小的 128 Gb 多層單元(MLC)NAND 閃存設備的新一代 16 納米(nm)制程技術在閃存峰會上榮獲 2013 年最佳創新閃存技術類最佳會展獎。 行業通過選拔年度最佳會展獎來表揚創新的產品和解決方案,以及它們在市場上的應用。

                    Micron 128 Gb 多層單元(MLC)NAND 閃存設備專門為消費類固態硬盤、移動存儲(U 盤和閃存卡)、平板電腦、超薄設備、移動手機和數據中心云存儲而產生。在現有的多層單元設備中提供最高平方毫米位寬、最低廉價格。此一新技術可在單一晶圓上創造幾乎 6 TB 的存儲量。

                    Micron NAND 解決方案事業副總裁 Glen Hawk 說:“很高興看到這次對于我們在閃存技術上的最新研發得到肯定。16 納米(nm) NAND制程讓我們在世上最小的 128 Gb 多層單元設備領域的也能取得領導地位。這是既經濟又對資本有利的技術,從今年至明年勢態持續看好!

                    峰會得獎產品是通過由行業專家組成的評審團評審提名產品后產生,評審標準如下:

                    -- 應用、技術或產品的獨特性

                    -- 以閃存為主要用途的解決方案或創新

                    -- 在一般市場上的技術和商業重要性

                    峰會評獎主席及Network Storage Advisors, Inc.總裁Jay Kramer說:“要從諸多杰出的候選項目中選出最創新的閃存技術,對閃存峰會評獎委員會的評審們而言是項非常具有挑戰性的任務! 并說:“ 行業在半導體技術方面的進步對于提高閃存技術標準具有極大的價值,我們很榮幸能夠把會展最佳創新獎頒發給 Micron 支持 128 Gb 多層單元設備的 16 納米 NAND 技術!

                    Micron 在 8 月 14 日星期三于展示廳舉辦的閃存峰會頒獎晚宴上獲頒此一殊榮。

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